东芝推出用于IGBT／MOSFET栅极驱动的薄型封装岑岭值输出电流光耦
2021-12-10 09:09
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出接纳薄型SO6L封装的两款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作绝缘栅极驱动IC。这两款器件于今日最先支持批量出货。
TLP5705H是东芝首款接纳厚度仅有2.3毫米（最大值）的薄性封装（SO6L）可提供±5.0A峰值输出电流额定值的产品。古板接纳缓冲电路举行电流放大的中小型逆变器与伺服放大器等装备，现在可直接通过该光耦驱动其IGBT／MOSFET而无需任何缓冲器。这将有助于镌汰部件数目并实现设计小型化。
TLP5702H的峰值输出电流额定值为±2.5A。SO6L封装可兼容东芝古板的SDIP6封装的焊盘[1]，便于替换东芝现有产品[2]。SO6L比SDIP6更纤薄，能够为电路板组件结构提供更高的无邪性，并支持电路板背面装置，或用于器件高度受限的新型电路设计。
这两款光耦的最高事情温度额定值均抵达125℃（Ta＝-40℃至125℃），使其更容易设计和坚持温度裕度。
别的，东芝提供的同系列器件还包括TLP5702H（LF4）与TLP5705H（LF4），接纳SO6L（LF4）封装的引线成型选项。
应用
工业装备
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工业逆变器、交流伺服驱动器、光伏逆变器、UPS等。
特征
-
岑岭值输出电流额定值（@Ta＝-40℃至125℃）
IOP＝±2.5A（TLP5702H）
IOP＝±5.0A（TLP5705H） -
薄型SO6L封装
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高事情温度额定值：Topr（最大值）＝125℃
主要规格
（℃除非尚有说明，@Ta＝-40℃至125）
注：
[1] 封装高度：4.25毫米（最大值）
[2] 现有产品：接纳SDIP6封装的TLP700H
如需相知趣关新产品的更多信息，请复制以下链接举行接会见：
TLP5702H
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectronics/photorelay-mosfet-output/detail.TLP5702H.html
TLP5705H
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectronics/photorelay-mosfet-output/detail.TLP5705H.html
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