全SiC MOSFET�？槿霉ひ底氨父 ⒏吣�
2022-12-22 17:42
SiC MOSFET�？槭墙幽尚滦椭柿咸蓟瑁⊿iC）的功率半导体器件，在高速开关性能和高温情形中，优于现在主流应用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高额定电压和更大电流容量的工业装备应用中，SiC MOSFET�？榭梢灾惆ü斓莱涤媚姹淦鳌⒆黄骱凸夥姹淦髟谀诘挠τ眯枨�，实现系统的低消耗和小型化。
东芝推出并已量产的1200V和1700V碳化硅MOSFET�？镸G600Q2YMS3和MG400V2YMS3就是这样的产品，其最大亮点是全SiC MOSFET�？�，差别于只用SiC SBD（肖特基二极管）替换Si FRD（快速恢复二极管）的SiC混淆�？�，这两款产品完全由SiC二极管和SiC MOSFET组成。全SiC功率�？椴坏哂懈咚倏靥卣�，同时可大幅降低消耗，是更小、更高效的工业装备的理想选择。
东芝的两款SiC MOSFET�？橹�，MG600Q2YMS3的额定电压为1200V，额定漏极电流为600A；另一款MG400V2YMS3的额定电压为1700V，额定漏极电流为400A。这两款器件扩充了东芝现有产品线，加上东芝以前宣布的3300V双通道SiC MOSFET�？镸G800FXF2YMS3，全系列将笼罩了1200V、1700V和3300V应用。
两款SiC MOSFET�？橛隨i IGBT�？樽爸梅椒ḿ嫒�，消耗却低于Si IGBT�？�，还内置了NTC热敏电阻，用作温度传感器，以便准确丈量�？槟诓啃酒奈露�。
从MG400V2YMS3和MG600Q2YMS3的功效特征来看，两款产品是同类型的大功率碳化硅N沟道MOSFET�？�，均具备低消耗和高速开关能力，只是在漏源极电压（VDSS）和漏极电流（ID）方面做了差分，以知足差别客户的应用需要，至于其他方面的差别并不是很大。
MG400V2YMS3和MG600Q2YMS3全SiC MOSFET�？榈南嗤卣魅缦拢�
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低杂散电感，低热阻， Tch最大值＝150℃
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增强型MOS
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电极与外壳隔离
以下是MG400V2YMS3和MG600Q2YMS3的主要规格：（除非尚有划定，@Tc＝25℃）
与IGBT�？橄啾�，SiC MOSFET�？榈牡拖奶卣骺梢越档桶ǹ叵暮偷纪ㄏ脑谀诘淖芟�。高速开关和低消耗操作尚有助于减小滤波器、变压器和散热器的尺寸，实现紧凑、轻盈的系统设计。别的，SiC MOSFET�？榈母吣腿刃院偷偷绺蟹庾�，以及宽栅极-源极电压和高栅极阈值电压，可以实现更高的系统可靠性。
情形和能源问题是一个亟待解决的全球性问题。随着电力需求一连升高，对节能的呼声越来越高，对高效、紧凑型电力转换系统的需求也在迅速增添。全新碳化硅质料的功率MOSFET具有耐高压、高速开关、低导通电阻等方面的优势，除大幅降低功率消耗外，还可以缩小产品尺寸。
东芝MG400V2YMS3和MG600Q2YMS3适用于大功率应用领域，包括大功率开关电源、电机控制器，包括轨道牵引应用。其详细应用涵盖轨道车辆用逆变器和变流器、可再生能源发电系统、电机控制装备和高频DC-DC转换器。现在东芝的两款�？榫汛笞谕斗攀谐�，并在种种应用中施展节能减排的作用。
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